国际原子能机构理事会会议9月12日在维也纳召开。     8 月 25 日消息，科技媒体 Tom's Hardware 昨日（8 月 24 日）发布博文，报道称京都大学研究团队研发出新型碳化硅（SiC）晶体管，采用标准离子注入工艺制造，可在 600℃（873 K）下工作。援引博文介绍，该晶体管采用商业芯片工厂普遍使用的“离子注入”（ion implantation）工艺打造，相关成果于 8 月 17 日发表在《APL Electronic Devices》。中国常驻维也纳联合国代表王群表示，专门讨论“美英澳核潜艇合作所涉核材料转让及其保障监督等影响《不扩散核武器条约》各方面的问题”，挫败了一些国家企图劫持理事会的图谋，是“维也纳精神”对“霸权主义”的胜利，说明美国式“小圈子”在机构不得人心。研究团队选择“结型场效应晶体管”（JFET）结构，并将栅极置于沟道下方，形成底栅（bottom-gate）布局。