一 | 评论 发表。1月12日，三星在去年5月的三星铸造论坛上宣布了一项5/4/3nm工艺技术。根据汤姆公司今天的硬件新闻，三星计划最早在2021年开始大规模生产3nm工艺芯片。此外，三星还表示，将在今年下半年开始生产7nm的超视距芯片。去年，三星还表示，它将在2020年使用4纳米砷化镓场效应晶体管（gate all around fet）工艺。然而，一些业内人士，包括加纳副总裁王国荣（Samuel Wang）对Gaafet芯片能否在2022年投产表示怀疑。尽管台积电和格罗福德全球铸造厂在EUV芯片开发方面并没有落后，但三星也有自己的优势。三星公司内部开发了自己的超视距掩模检测工具，但尚未开发出类似的商业工具。
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Published on:14:35:24
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